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BSS127 E6327 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSS127 E6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 歐姆 @ 16mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 8µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BFC238350622
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 6200PF 1.6KVDC RADIAL
BSS123LT1G
FET - 單 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
C322C152J2G5TA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 1500PF 200V 5% RADIAL
C0805C394J4RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.39UF 16V 5% X7R 0805
B41252A568M
電容器 EPCOS Inc 5600UF 80V 35X45 SNAP IN
C0805C152K5RACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0805
BQ29443DRBR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盤 IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON
C322C152J5G5TA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 1500PF 50V 5% RADIAL
BFC238350822
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 8200PF 1.6KVDC RADIAL
B41252A6568M
電容器 EPCOS Inc 5600UF 50V 22X50 SNAP IN
C0805C152K5RACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0805
BQ29449DRBR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盤 IC V-PROT 2-4CELL LI-ION 8SON
BFC238352303
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.03UF 1.6KVDC RADIAL
BSS138
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
C0805C395K8PACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.9UF 10V 10% X5R 0805